Maikl писал(а):
valvol писал(а):
Странно...
вот и мне стало странным после вашего поста, т.е. - откуда мосфетовский вариант "прилетел"?
Если он по другому моделируется, то значит и модель другая.
Можно посмотреть в символе, на какую библиотеку тот ссылается.
Что касается реалистичности, то мне пока не встречалась модель высоковольтного IGBT, которая адекватно моделировала бы поведение этого транзистора, касающееся процесса рассасывания хвоста.
К сожалению, производители далеко не всегда предоставляют SPICE модели своих детищь и поэтому эксперименты с моделированием приходится проводить на моделях-аналогах. При этом, понятное дело, результаты моделирования могут не соответствовать реальной картине. Например, в своё время пытался моделировать поведение модуля SKM200GB128D при помощи "кучки" irg7ph42ud1.
И если кучка, при переходе в ZCS демонстрировала многократное повышение потерь (как это ни странно), то реальные транзисторы в похожей ситуации честно приносили увеличение эффективности. Перебрал ещё несколько похожих SPICE моделей, полюбовался на аномалии при коммутации на малых токах. Везде одно и тоже - неадекватное поведение при малых токах и повышение потерь в ZCS. При ZVS вроде как более-менее. Т.е. похоже, что существующие модели заточены для использования в фазниках (вариант ZVS). Что касается вожделенной ZCS, то похоже эта область пока не перекрывается способностями существующих SPICE моделей IGBT. Как следствие, сложно прогнозировать потери, вызванные недостаточным рассасыванием хвоста. Касательно предполагаемого применения транзисторов, то здесь как-бы будет ZVS, однако слишком быстрая. При этом хвост может не успеть рассосаться и, как результат, принесёт потери из-за токов утечки, казалось бы, закрытых транзисторов.